三星(Samsung)今年資本支出將倍增至260億美元，其中，又將以3D NANDFlash為最大宗，研調(diào)機構(gòu)IC Insights認(rèn)為，3D NANDFlash恐將供過于求。

IC Insights預(yù)估，今年全球半導(dǎo)體資本支出金額將達(dá)908億美元，將成長35%；其中，三星今年資本支出將倍增至260億美元，比英特爾與臺積電的總和還多。

三星今年的資本支出主要投入3D儲存型快閃記憶體，將達(dá)140億美元，IC Insights指出，三星將斥資70億美元，推進動態(tài)隨機存取記憶體制程技術(shù)，并彌補因制程轉(zhuǎn)換造成的產(chǎn)能損失。

在晶圓代工方面，IC Insights表示，三星將投入50億美元擴增10奈米制程產(chǎn)能。

除三星投入巨額資本支出，SK海力士與美光等三星競爭對手資本支出也將顯著增加，IC Insights認(rèn)為，這恐將引發(fā)3D NAND Flash市場供過于求。